নীচের চিত্রে Si এবং Ge ডায়োড দুটির নি- ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7 V এবং 0.3 V 5.5 k \( \Omega \) রোধের মধ্য দিয়ে কত বিদ্যুৎ প্রবাহিত হবে? Ge ডায়োড উল্টো করে সংযোগ দিলে রোধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য কত হবে?

• ভোল্টেজ হিসাব:
  
  
  • সোর্স ভোল্টেজ, $V_s = 12\text{ V}$
  • Si ডায়োডের নি-ভোল্টেজ বা ভোল্টেজ ড্রপ, $V_{\text{Si}} = 0.7\text{ V}$
  • Ge ডায়োডের নি-ভোল্টেজ বা ভোল্টেজ ড্রপ, $V_{\text{Ge}} = 0.3\text{ V}$
  ডায়োড দুটিতে মোট ভোল্টেজ ড্রপ হবে:
  
  
  $$V_d = 0.7\text{ V} + 0.3\text{ V} = 1.0\text{ V}$$
  সুতরাং, $5.5\text{ k}\Omega$ রোধের দুই প্রান্তে অবশিষ্ট কার্যকর ভোল্টেজ ($V$) হবে:
  
  
  $$V = V_s - V_d$$
  $$V = 12\text{ V} - 1.0\text{ V} = 11\text{ V}$$
• বিদ্যুৎ প্রবাহ (Current) হিসাব:
  ওহমের সূত্র ($V = IR$) অনুযায়ী কারেন্ট ($I$):
  
  
  $$I = \frac{V}{R}$$
  এখানে $R = 5.5\text{ k}\Omega = 5.5 \times 10^3\text{ }\Omega$
  
  
  $$I = \frac{11}{5.5 \times 10^3}\text{ A}$$
  $$I = 2 \times 10^{-3}\text{ A}$$
  $$I = 2.0\text{ mA}$$

দ্বিতীয় অংশ: Ge ডায়োড উল্টো করে সংযোগ দিলে বিভব পার্থক্য

• Ge ডায়োডটিকে উল্টো করে সংযোগ দিলে সেটি রিভার্স বায়াসে (Reverse bias) চলে যাবে।
• রিভার্স বায়াস অবস্থায় একটি আদর্শ ডায়োড ওপেন সার্কিট (Open circuit) বা খোলা তারের মতো আচরণ করে। অর্থাৎ, এটি সার্কিটের বিদ্যুৎ প্রবাহ পুরোপুরি বন্ধ করে দেয়।
• যেহেতু সার্কিটটি ওপেন হয়ে গেছে, তাই পুরো বর্তনীতে বিদ্যুৎ প্রবাহ শূন্য হয়ে যাবে ($I = 0\text{ A}$)।
• বিদ্যুৎ প্রবাহ না থাকলে $5.5\text{ k}\Omega$ রোধের দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য ($V$) হবে:
  
  
  $$V = I \times R$$
  $$V = 0 \times 5.5 \times 10^3 = 0\text{ V}$$