An SCR is made of silicon and not germanium because silicon-
Solution
Correct Answer: Option C
- সিলিকনের Energy band gap জার্মেনিয়ামের তুলনায় বেশি (সিলিকনের ১.১ eV এবং জার্মেনিয়ামের ০.৭২ eV)।
- এই উচ্চ ব্যান্ড গ্যাপের কারণে সিলিকনে থার্মাল জেনারেশনের ফলে উৎপন্ন ইলেকট্রন-হোল জোড়ের সংখ্যা কম হয়, যা Leakage Current বা লিকেজ কারেন্টকে অত্যন্ত কমিয়ে দেয়।
- জার্মেনিয়ামের তৈরি ডিভাইসে লিকেজ কারেন্ট বেশি হওয়ায় উচ্চ তাপমাত্রায় সেটির কার্যকারিতা নষ্ট হতে পারে, কিন্তু সিলিকন ভিত্তিক এসসিআর (SCR) উচ্চ তাপমাত্রায়ও স্থিতিশীল থাকে।
- এসসিআর যেহেতু একটি হাই পাওয়ার সুইচিং ডিভাইস, তাই এর অফ-স্টেট লস কমানোর জন্য লিকেজ কারেন্ট কম হওয়া অত্যন্ত জরুরি।
- সিলিকনের Peak Inverse Voltage (PIV) রেটিং জার্মেনিয়ামের তুলনায় অনেক বেশি, যা হাই ভোল্টেজ অ্যাপ্লিকেশনের জন্য একে উপযুক্ত করে তোলে।
- এই উচ্চ ব্যান্ড গ্যাপের কারণে সিলিকনে থার্মাল জেনারেশনের ফলে উৎপন্ন ইলেকট্রন-হোল জোড়ের সংখ্যা কম হয়, যা Leakage Current বা লিকেজ কারেন্টকে অত্যন্ত কমিয়ে দেয়।
- জার্মেনিয়ামের তৈরি ডিভাইসে লিকেজ কারেন্ট বেশি হওয়ায় উচ্চ তাপমাত্রায় সেটির কার্যকারিতা নষ্ট হতে পারে, কিন্তু সিলিকন ভিত্তিক এসসিআর (SCR) উচ্চ তাপমাত্রায়ও স্থিতিশীল থাকে।
- এসসিআর যেহেতু একটি হাই পাওয়ার সুইচিং ডিভাইস, তাই এর অফ-স্টেট লস কমানোর জন্য লিকেজ কারেন্ট কম হওয়া অত্যন্ত জরুরি।
- সিলিকনের Peak Inverse Voltage (PIV) রেটিং জার্মেনিয়ামের তুলনায় অনেক বেশি, যা হাই ভোল্টেজ অ্যাপ্লিকেশনের জন্য একে উপযুক্ত করে তোলে।
Practice More Questions on Our App!
Download our app for free and access thousands of MCQ questions with detailed solutions