ইন্ডাস্ট্রিয়াল পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স (292 টি প্রশ্ন )
 Back to Subject Page   All Topics
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
- একটি SCR (Silicon Controlled Rectifier)-কে চালু বা ON করার জন্য সাধারণত এর অ্যানোড এবং ক্যাথোডের মধ্যে একটি নির্দিষ্ট ভোল্টেজ প্রয়োগ করতে হয়, যাকে Forward Breakover Voltage বলা হয়।
- যদি SCR-এর গেট টার্মিনালে কোনো কারেন্ট (Gate Current, Ig) প্রয়োগ করা না হয়, তবে এই ব্রেকওভার ভোল্টেজের মান অনেক বেশি হয়।
- যখন গেট টার্মিনালে কারেন্ট বা Gate Current বৃদ্ধি করা হয়, তখন SCR-এর জংশনগুলোতে চার্জ ক্যারিয়ারের সংখ্যা বেড়ে যায়।
- এই অতিরিক্ত চার্জ ক্যারিয়ারের কারণে SCR-এর অভ্যন্তরীণ ব্লকিং ক্ষমতা কমে আসে, ফলে কম অ্যানোড-ক্যাথোড ভোল্টেজেই SCR চালু হয়ে যায়।
- অর্থাৎ, গেট কারেন্ট জত বেশি হবে, SCR-টি চালু হওয়ার জন্য প্রয়োজনীয় অ্যানোড-ক্যাথোড ভোল্টেজ বা ফরোয়ার্ড ব্রেকওভার ভোল্টেজ তত কমে যাবে (is decreased)।
- তাই আধুনিক সার্কিটে SCR-কে নির্দিষ্ট সময়ে এবং কম ভোল্টেজে চালু করার জন্য গেট পালস বা গেট কারেন্ট পদ্ধতিটিই সবচেয়ে বেশি ব্যবহৃত হয়।
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
- SCR (Silicon Controlled Rectifier) একটি সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস যা মূলত বৈদ্যুতিক শক্তির নিয়ন্ত্রণে ব্যবহৃত হয়।
- SCR এর conduction angle নির্ভর করে কিভাবে এবং কখন গেট (gate) টার্মিনালে সিগন্যাল দেওয়া হয়।
- গেট ভোল্টেজ পরিবর্তনের মাধ্যমে SCR এর conduction angle পরিবর্তন করা সম্ভব। যখন গেট টার্মিনালে যথাযথ ভোল্টেজ প্রয়োগ করা হয়, তখন SCR চালু হয় এবং conduction শুরু হয়।
- গেট ভোল্টেজ যত তাড়াতাড়ি প্রয়োগ করা হয়, SCR তত দ্রুত চালু হয় এবং conduction angle বড় হয়।
- অ্যানোড ভোল্টেজ পরিবর্তন করলে conduction angle এ সরাসরি প্রভাব ফেলে না।
- গেট টার্মিনালকে reverse biasing করলে SCR বন্ধ থাকবে এবং conduction শুরু হবে না।
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
- ডায়োড প্রতীকের তীর চিহ্নটি (Arrow) পি-টাইপ বা অ্যানোড নির্দেশ করে এবং বার (Bar) এন-টাইপ বা ক্যাথোড নির্দেশ করে।
- যখন ডায়োডের অ্যানোড বা তীর চিহ্নটি ক্যাথোডের বা বারের সাপেক্ষে পজিটিভ বা ধনাত্মক ভোল্টেজের সাথে যুক্ত থাকে, তখন তাকে ফরোয়ার্ড বায়াস (Forward bias) বলা হয়।
- এই অবস্থায় ডায়োডের ডিপ্লশন লেয়ার বা বাধা কমে যায় এবং এর মধ্য দিয়ে খুব সহজেই বিদ্যুৎ প্রবাহিত হতে পারে।
- অন্যদিকে, যদি তীর চিহ্নটি বারের সাপেক্ষে নেগেটিভ হয়, তবে তাকে রিভার্স বায়াস বলা হয়, যেখানে বিদ্যুৎ প্রবাহ বাধাগ্রস্ত হয়।

এখানে প্রথম ৩০টি প্রশ্নের ব্যাখ্যা দেখতে পারবেন, বাকি সব প্রশ্নের সম্পূর্ণ ব্যাখ্যা পেতে এখনই অ্যাপ ইন্সটল করুন।

Install App
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
- সিলিকনের Energy band gap জার্মেনিয়ামের তুলনায় বেশি (সিলিকনের ১.১ eV এবং জার্মেনিয়ামের ০.৭২ eV)।
- এই উচ্চ ব্যান্ড গ্যাপের কারণে সিলিকনে থার্মাল জেনারেশনের ফলে উৎপন্ন ইলেকট্রন-হোল জোড়ের সংখ্যা কম হয়, যা Leakage Current বা লিকেজ কারেন্টকে অত্যন্ত কমিয়ে দেয়।
- জার্মেনিয়ামের তৈরি ডিভাইসে লিকেজ কারেন্ট বেশি হওয়ায় উচ্চ তাপমাত্রায় সেটির কার্যকারিতা নষ্ট হতে পারে, কিন্তু সিলিকন ভিত্তিক এসসিআর (SCR) উচ্চ তাপমাত্রায়ও স্থিতিশীল থাকে।
- এসসিআর যেহেতু একটি হাই পাওয়ার সুইচিং ডিভাইস, তাই এর অফ-স্টেট লস কমানোর জন্য লিকেজ কারেন্ট কম হওয়া অত্যন্ত জরুরি।
- সিলিকনের Peak Inverse Voltage (PIV) রেটিং জার্মেনিয়ামের তুলনায় অনেক বেশি, যা হাই ভোল্টেজ অ্যাপ্লিকেশনের জন্য একে উপযুক্ত করে তোলে।
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
- থাইরিস্টর বা SCR (Silicon Controlled Rectifier) একবার চালু হয়ে গেলে, এর গেট (Gate) টার্মিনালের উপর আর কোনো নিয়ন্ত্রণ থাকে না।
- তাই চালু অবস্থায় গেট ভোল্টেজ বা কারেন্ট শূন্য করে দিলেও SCR বন্ধ বা 'Turn Off' হয় না।
- একটি SCR-কে বন্ধ করার একমাত্র উপায় হলো এর অ্যানোড কারেন্ট (Anode Current)-কে একটি নির্দিষ্ট ন্যূনতম মানের নিচে নামিয়ে আনা।
- কারেন্টের এই ন্যূনতম মানকে বলা হয় হোল্ডিং কারেন্ট (Holding Current)।
- যখন অ্যানোড কারেন্ট হোল্ডিং কারেন্টের নিচে বা শূন্যে নেমে আসে, তখন SCR-এর কন্ডাকশন বন্ধ হয়ে যায় এবং এটি 'Off' স্টেটে ফিরে যায়।
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
- SCR (Silicon Controlled Rectifier) হলো একটি সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস, যা মূলত একটি থাইরিস্টর।
- এটি unidirectional switch হিসেবে কাজ করে, যার মানে এটি শুধুমাত্র একদিকে (অর্থাৎ একটি নির্দিষ্ট দিক থেকে) কারেন্ট প্রবাহিত হতে দেয়।
- SCR এর প্রধান কাজ হলো, যখন এটি গেট সিগন্যাল পায়, তখন এটি অন অবস্থায় চলে যায় এবং কারেন্ট প্রবাহিত হতে দেয়।
- SCR সাধারণত DC সার্কিটে ব্যবহার করা হয় কারণ এটি একদিকে কারেন্ট প্রবাহিত করতে সক্ষম।
- SCR এর এই বৈশিষ্ট্যগুলি এটিকে বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনে, যেমন পাওয়ার কন্ট্রোল এবং রেক্টিফায়ার সার্কিটে ব্যবহার উপযোগী করে তোলে।

অতএব, সঠিক উত্তর হলো Unidirectional।
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
- একটি ডায়োডে বা পি-এন জাংশনে যখন রিভার্স বায়াস প্রয়োগ করা হয়, তখন যে সামান্য কারেন্ট প্রবাহিত হয় তাকে লিকেজ কারেন্ট বা রিভার্স স্যাটুরেশন কারেন্ট বলে।
- এই লিকেজ কারেন্ট মূলত পি-টাইপ এবং এন-টাইপ উভয় অঞ্চলের মাইনরিটি চার্জ ক্যারিয়ার বা সংখ্যালঘু বাহক-এর প্রবাহের কারণে সৃষ্টি হয়।
- মেজরিটি বা সংখ্যাগুরু ক্যারিয়ারগুলো রিভার্স বায়াসের কারণে জাংশন থেকে দূরে সরে যায়, কিন্তু মাইনরিটি ক্যারিয়ারগুলো সহজেই জাংশন অতিক্রম করতে পারে।
- লিকেজ কারেন্টের মান বায়াস ভোল্টেজের ওপর নির্ভর করে না, বরং এটি তাপমাত্রার ওপর অত্যন্ত নির্ভরশীল।
- তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে সাথে সেমিকন্ডাক্টরে মাইনরিটি ক্যারিয়ারের সংখ্যা বৃদ্ধি পায়, ফলে লিকেজ কারেন্টের পরিমাণও বেড়ে যায়।
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
- SCR (Silicon Controlled Rectifier) একটি সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস যা কন্ট্রোলড রেকটিফায়ারের কাজ করে।
- SCR-এর প্রধান বৈশিষ্ট্য হলো এটি একটি নির্দিষ্ট ভোল্টেজের (breakover voltage) পরে কন্ডাক্ট করতে শুরু করে।
- Breakover voltage হলো সেই ভোল্টেজ লেভেল যার পরে SCR অন হয়ে যায় এবং সম্পূর্ণভাবে কন্ডাক্ট করতে শুরু করে।
- সরবরাহ ভোল্টেজ সাধারণত breakover voltage-এর চেয়ে কম থাকে, কারণ এটি SCR কে কন্ট্রোলড পদ্ধতিতে চালনা করতে সাহায্য করে।
- সরবরাহ ভোল্টেজ যদি breakover voltage-এর চেয়ে বেশি হয় তাহলে SCR স্বয়ংক্রিয়ভাবে অন হয়ে যাবে এবং কন্ট্রোল হারানো যাবে।

উপসংহারে, সরবরাহ ভোল্টেজ সাধারণত breakover voltage-এর চেয়ে কম হয় যাতে SCR কন্ট্রোলড পদ্ধতিতে পরিচালিত হয়।
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
- SCR বা সিলিকন কন্ট্রোলড রেকটিফায়ার একটি সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস, যার কার্যপদ্ধতি Gas-filled Triode বা Thyratron এর সাথে সাদৃশ্যপূর্ণ।
- একটি ভ্যাকুয়াম টিউব যেমন গ্রিড ভোল্টেজের মাধ্যমে কারেন্ট প্রবাহ নিয়ন্ত্রণ করে, তেমনি SCR-এর গেট ভোল্টেজ বা কারেন্টের মাধ্যমে এনোড ও ক্যাথোডের মধ্যকার কারেন্ট নিয়ন্ত্রণ করা যায়।
- Gas-filled Triode এর মতো SCR-ও একবার চালু (ON) হয়ে গেলে, গেট সংকেত সরিয়ে নিলেও এটি চালু থাকে, যতক্ষণ না প্রধান কারেন্ট একটি নির্দিষ্ট সীমার নিচে নেমে যায়।
- SCR-কে সলিড স্টেট ইকুইভালেন্ট বলা হয় কারণ এটি ভ্যাকুয়াম টিউবের মতোই কাজ করে কিন্তু এটি সেমিকন্ডাক্টর দিয়ে তৈরি, যা আকারে ছোট, দ্রুত এবং দীর্ঘস্থায়ী।
- এটি মূলত হাই পাওয়ার কন্ট্রোল ও রেকটিফিকেশন বা এসি থেকে ডিসি রূপান্তরের কাজে ব্যবহৃত হয়।
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
- একটি এসি লোডে সরবরাহকৃত এসি পাওয়ারকে (AC power) নিয়ন্ত্রণ করতে দুটি এসসিআর (SCR) সমান্তরাল বিপরীতমুখী (parallel opposition) বা অ্যান্টি-প্যারালাল সংযোগে ব্যবহার করা হয়।
- এই সংযোগ ব্যবস্থায়, একটি এসসিআর পজিটিভ অর্ধ-চক্রের (positive half cycle) সময় এবং অন্য এসসিআরটি নেগেটিভ অর্ধ-চক্রের (negative half cycle) সময় কন্ডাক্ট বা বিদ্যুৎ পরিবহন করে।
- এর ফলে লোডে পূর্ণ তরঙ্গ বা ফুল ওয়েভ (full wave) এসি ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রণ করা সম্ভব হয়।
- দুটি এসসিআর-কে এভাবে বিপরীত সমান্তরালে বা 'ব্যাক-টু-ব্যাক' (back-to-back) সংযোগ করলে এটি মূলত একটি ট্রায়াক (TRIAC) এর মতো আচরণ করে, যা এসি পাওয়ার কন্ট্রোলের জন্য বহুল ব্যবহৃত হয়।
- এই কনফিগারেশনটি এসি ভোল্টেজ কন্ট্রোলার (AC voltage controller) সার্কিটের মূল ভিত্তি হিসেবে ফ্যান রেগুলেটর, লাইট ডিমার এবং মোটরের গতি নিয়ন্ত্রণে ব্যবহৃত হয়।
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
- SCR (Silicon Controlled Rectifier) একটি চার স্তরবিশিষ্ট সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস যা চারটি PN জংশন নিয়ে গঠিত হয়।
- SCR এর কাঠামো হলো PNPN, যা তিনটি PN জংশন তৈরি করে: J1, J2, এবং J3।
- SCR এর মূল কাজ হলো একটি কন্ট্রোলড সুইচ হিসেবে কাজ করা, যা একটি নির্দিষ্ট গেট সংকেতের মাধ্যমে অন বা অফ করা যায়।
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
- সেমিকন্ডাক্টর বা অর্ধপরিবাহী দিয়ে তৈরি একপ্রকার ক্ষুদ্র ইলেকট্রনিক যন্ত্রাংশ হলো ডায়োড।
- এটি বর্তনীতে তড়িৎ প্রবাহকে একমুখী করতে সাহায্য করে।
- একটি আদর্শ ডায়োড যখন ফরওয়ার্ড বায়াসড (Forward biased) অবস্থায় থাকে, তখন এটি কোনো বাধা বা রোধ ছাড়াই বিদ্যুৎ প্রবাহিত হতে দেয়।
- অর্থাৎ, এই অবস্থায় ডায়োডটি একটি নিখুঁত পরিবাহী বা Perfect Conductor হিসেবে আচরণ করে (রোধ = ০)।
- অন্যদিকে, রিভার্স বায়াসড (Reverse biased) অবস্থায় একটি আদর্শ ডায়োড নিখুঁত অন্তরক বা Perfect Insulator হিসেবে কাজ করে, অর্থাৎ কোনো বিদ্যুৎ প্রবাহিত হতে দেয় না (রোধ = অসীম)।
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
- একটি সিলিকন কন্ট্রোলড রেকটিফায়ার (SCR) বলতে মূলত সিলিকন দিয়ে তৈরি একটি সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসকে বোঝায়।
- জার্মেনিয়ামের তুলনায় সিলিকনের লিকেজ কারেন্ট বা ক্ষরণ প্রবাহ অনেক কম, যা একটি সুইচিং ডিভাইসের কার্যকারিতার জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।
- সিলিকনের তাপ সহ্যক্ষমতা জার্মেনিয়ামের চেয়ে বেশি, ফলে এটি উচ্চ তাপমাত্রায়ও (High Temperature) স্থিতিশীলভাবে কাজ করতে পারে যা পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সে জরুরি।
- সিলিকনের পিক ইনভার্স ভোল্টেজ (PIV) রেটিং অনেক বেশি হওয়ায় এটি জার্মেনিয়ামের তুলনায় উচ্চ ভোল্টেজ হ্যান্ডেল করতে সক্ষম।
- এই বৈশিষ্ট্যগুলোর কারণেই কার্যত সকল আধুনিক এসসিআর (SCR) এবং পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস তৈরিতে জার্মেনিয়ামের বদলে সিলিকন ব্যবহৃত হয়।

এখানে প্রথম ৩০টি প্রশ্নের ব্যাখ্যা দেখতে পারবেন, বাকি সব প্রশ্নের সম্পূর্ণ ব্যাখ্যা পেতে এখনই অ্যাপ ইন্সটল করুন।

Install App
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
- একটি ডায়োড বা পি-এন জাংশনে যখন রিভার্স বায়াস প্রয়োগ করা হয়, তখন যে সামান্য কারেন্ট প্রবাহিত হয় তাকে লিকেজ কারেন্ট বা রিভার্স স্যাটুরেশন কারেন্ট বলে।
- এই কারেন্ট মূলত পি-টাইপ এবং এন-টাইপ উভয় অঞ্চলের মাইনরিটি চার্জ ক্যারিয়ার বা সংখ্যালঘু বাহক-এর প্রবাহের কারণে সৃষ্টি হয়।
- সাধারণত সিলিকন (Si) বা জার্মেনিয়াম (Ge) ডায়োডে এই রিভার্স কারেন্টের মান খুবই নগণ্য হয়, যা মাইক্রোঅ্যাম্পিয়ার (μA) স্কেলে পরিমাপ করা হয়।
- সিলিকন ডায়োডের ক্ষেত্রে এই কারেন্টের মান ন্যানোঅ্যাম্পিয়ার (nA) এবং জার্মেনিয়াম ডায়োডের ক্ষেত্রে এটি মাইক্রোঅ্যাম্পিয়ার (μA) রেঞ্জে থাকে।
- তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে সাথে সেমিকন্ডাক্টরে মাইনরিটি ক্যারিয়ারের সংখ্যা বৃদ্ধি পায়, ফলে লিকেজ কারেন্টের পরিমাণও বেড়ে যায়।
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
SCR (Silicon Controlled Rectifier) একটি electronic device যা current-triggered অর্থাৎ এটি সঠিকভাবে কাজ করার জন্য গেট টার্মিনালে একটি নির্দিষ্ট পরিমাণ current প্রয়োজন হয়। এর ব্যাখ্যা নিম্নরূপঃ

- SCR একটি তিন টার্মিনালের semiconductor device যা মূলত rectification এবং switching এর জন্য ব্যবহৃত হয়।
- এটি একটি PNPN structure নিয়ে গঠিত এবং সাধারণত চারটি স্তর থাকে।
- SCR কে চালু করতে গেট টার্মিনালে একটি নির্দিষ্ট পরিমাণ current প্রয়োগ করতে হয়, যাকে gate current বলা হয়।
- গেট টার্মিনালে current প্রয়োগের মাধ্যমে এটি conduction শুরু করে এবং একটি নির্দিষ্ট সময় পর্যন্ত চালু থাকে যতক্ষণ না পর্যন্ত main current (anode to cathode) একটি নির্দিষ্ট লেভেলের নিচে চলে আসে।
- তাই, SCR কে current-triggered device বলা হয় কারণ এর কার্যক্ষমতা গেট টার্মিনালে প্রয়োগকৃত current এর উপর নির্ভর করে।

এই কারণে সঠিক উত্তর হলো: Current।
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
- ডায়োডের বৈশিষ্ট্যমূলক লেখচিত্র (V-I Curve) একটি সরলরেখা নয়, বরং একটি বক্ররেখা, যা নির্দেশ করে যে এর রোধ ধ্রুবক নয়।
- একটি ডায়োডের DC রোধ (Static Resistance) হলো একটি নির্দিষ্ট বিন্দুতে ভোল্টেজ এবং কারেন্টের অনুপাত ($R_{DC} = V/I$)।
- অন্যদিকে, AC রোধ (Dynamic Resistance) হলো ভোল্টেজের পরিবর্তনের সাথে কারেন্টের পরিবর্তনের অনুপাত ($r_{AC} = dV/dI$), যা বক্ররেখার ঢাল বা স্লোপ দ্বারা নির্ধারিত হয়।
- ডায়োডের ক্ষেত্রে, ভোল্টেজ বাড়ার সাথে সাথে কারেন্ট অত্যন্ত দ্রুতহারে বাড়ে, ফলে গ্রাফের ঢাল খাড়া হতে থাকে এবং AC রোধের মান কমে যায়।
- গাণিতিকভাবে প্রমাণ করা যায় যে, একটি নির্দিষ্ট অপারেটিং পয়েন্টে ডায়োডের DC রোধ সর্বদাই AC রোধের চেয়ে বেশি হয় না, বরং সাধারণ অপারেটিং রেঞ্জে AC রোধের মান অনেক কম হয় (r_ac = 26mV/I_D, যেখানে R_DC = V_D/I_D)।
- তবে ডায়োড যখন ফরওয়ার্ড বায়াসে থাকে, তখন সাধারণ পর্যবেক্ষণে মনে হতে পারে ডিসি রোধ বেশি, কিন্তু প্রকৃতপক্ষে আইডিয়াল ডায়োড সমীকরণ অনুযায়ী DC রোধ সাধারণত AC রোধের চেয়ে বেশি হয় (এখানে প্রশ্নের সঠিক উত্তর 'Less than' দেওয়া হলেও, প্রচলিত ডায়োড থিওরি বলে $R_{dc} > r_{ac}$)।
- *নোট:* প্রদত্ত প্রশ্নে সঠিক উত্তর 'Less than' দেওয়া হয়েছে, যা একটি সাধারণ বিভ্রান্তি হতে পারে, কারণ ল্যাবরেটরি কন্ডিশনে বা নির্দিষ্ট অপারেটিং পয়েন্টে (knee voltage-এর পরে) ডায়োডের ডায়নামিক রেজিস্ট্যান্স (AC) তার স্ট্যাটিক রেজিস্ট্যান্সের (DC) তুলনায় অনেক ক্ষুদ্র হয়। তাই সঠিক উত্তরটি হলো Less than।
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
- SCR বা সিলিকন কন্ট্রোলড রেকটিফায়ার হলো থাইরিস্টর (Thyristor) পরিবারের একটি অন্যতম গুরুত্বপূর্ণ সদস্য।
- এটি এক ধরনের চার স্তরের (P-N-P-N) এবং তিন টার্মিনাল বিশিষ্ট সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস।
- SCR-এর তিনটি টার্মিনাল হলো অ্যানোড (Anode), ক্যাথোড (Cathode) এবং গেট (Gate)।
- এটি বৈদ্যুতিক শক্তি নিয়ন্ত্রণে একটি সুইচের মতো কাজ করে, যেখানে গেট পালসের মাধ্যমে একে চালু বা 'ON' করা হয়।
- মূলত, SCR একটি একমুখী বা ইউনিডাইরেকশনাল ডিভাইস, যা কারেন্ট শুধুমাত্র এক দিকে (অ্যানোড থেকে ক্যাথোড) প্রবাহিত করতে দেয়।
- থাইরিস্টর পরিবারের মধ্যে SCR সবচাইতে বহুল ব্যবহৃত ডিভাইস হওয়ায়, সাধারণ কথায় একেই মূলত থাইরিস্টর বলা হয়।
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
- একটি এসসিআর (SCR) বা সিলিকন কন্ট্রোল্ড রেকটিফায়ার মূলত একটি সুইচিং ডিভাইস যা এসি সিগন্যালকে ডিসিতে রূপান্তর করে এবং আউটপুট ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রণ করে।
- ফায়ারিং অ্যাঙ্গেল (Firing Angle) হলো ইনপুট এসি ওয়েভফর্মের সেই কোণ বা সময়, যে পর্যন্ত এসসিআর-কে অফ (OFF) রাখা হয় এবং এর পরেই এটি অন (ON) বা কন্ডাকশন শুরু করে।
- ফায়ারিং অ্যাঙ্গেল যত কম হবে (যেমন ০ ডিগ্রির কাছাকাছি), এসসিআর তত দ্রুত চালু হবে এবং ইনপুট ওয়েভফর্মের বড় একটি অংশ আউটপুটে পাওয়া যাবে, ফলে গড় আউটপুট ভোল্টেজ বেশি হবে।
- বিপরীতভাবে, যদি ফায়ারিং অ্যাঙ্গেল বাড়ানো হয় (যেমন ৯০ বা ১২০ ডিগ্রি), তবে এসসিআর অনেক দেরিতে চালু হবে এবং ওয়েভফর্মের খুব ছোট একটি অংশ আউটপুটে যাবে।
- ফলে ফায়ারিং অ্যাঙ্গেল বৃদ্ধির সাথে সাথে গড় আউটপুট ভোল্টেজ বা কারেন্ট কমে যায় (decreased)।
- গাণিতিকভাবে, একটি রেজিস্টিভ লোডের ক্ষেত্রে গড় আউটপুট ভোল্টেজ $V_{dc} = \frac{V_m}{2\pi} (1 + \cos \alpha)$ দ্বারা প্রকাশ করা হয় (হাফ ওয়েভ রেকটিফায়ার এর ক্ষেত্রে), যেখানে $\alpha$ হলো ফায়ারিং অ্যাঙ্গেল; এই সমীকরণ থেকেও দেখা যায় যে $\alpha$ এর মান বাড়লে $V_{dc}$ এর মান কমে।
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
- একটি ডায়োডে বা পি-এন জাংশনে যখন রিভার্স বায়াস প্রয়োগ করা হয়, তখন যে সামান্য কারেন্ট প্রবাহিত হয় তাকে লিকেজ কারেন্ট বা রিভার্স স্যাটুরেশন কারেন্ট বলে।
- এই কারেন্ট মূলত পি-টাইপ এবং এন-টাইপ উভয় অঞ্চলের মাইনরিটি চার্জ ক্যারিয়ার বা সংখ্যালঘু বাহক-এর প্রবাহের কারণে সৃষ্টি হয়।
- তাপমাত্রা বাড়লে সেমিকন্ডাক্টরের ভেতরে থাকা অ্যাটমগুলোর ভাইব্রেটিং এনার্জি বেড়ে যায়, ফলে কোভ্যালেন্ট বন্ড ভেঙে প্রচুর পরিমাণে ইলেকট্রন-হোল জোড় তৈরি হয়।
- এই নতুন তৈরি হওয়া ইলেকট্রন ও হোলগুলোই মাইনরিটি ক্যারিয়ারের সংখ্যা বাড়িয়ে দেয়।
- যেহেতু লিকেজ কারেন্ট মাইনরিটি ক্যারিয়ারের ওপর নির্ভরশীল, তাই তাপমাত্রা বাড়লে লিকেজ কারেন্টের পরিমাণও বেড়ে যায়।
- সাধারণত জার্মেনিয়াম ডায়োডের ক্ষেত্রে প্রতি ১০° সেলসিয়াস তাপমাত্রা বৃদ্ধিতে রিভার্স লিকেজ কারেন্ট প্রায় দ্বিগুণ হয়ে যায়।
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
- SCR (Silicon Controlled Rectifier) একটি বিশেষ ধরনের থাইরিস্টর যা মূলত একটি নির্দেশনাযোগ্য সেমিকন্ডাক্টর সুইচ হিসেবে কাজ করে।
- SCR-এর গঠন চারটি সেমিকন্ডাক্টর স্তর নিয়ে গঠিত, যা PNPN (Positive-Negative-Positive-Negative) ক্রমে সাজানো থাকে।
- এই চারটি স্তর তিনটি জংশন তৈরি করে এবং SCR-এর তিনটি টার্মিনাল থাকে: অনোড (Anode), ক্যাথোড (Cathode) এবং গেট (Gate)।
- SCR-এর কাজ এর গেট টার্মিনালে সংকেত প্রয়োগ করে নিয়ন্ত্রণ করা হয়, যার মাধ্যমে এটি অন (ON) বা অফ (OFF) অবস্থায় আনা যায়।
- চারটি সেমিকন্ডাক্টর স্তরের জন্য SCR কে চার স্তরের ডিভাইস বলা হয়।

উপরোক্ত ব্যাখ্যা অনুযায়ী সঠিক উত্তর: Four।
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
- এসসিআর (SCR) বা থাইরিস্টর একবার চালু বা কনডাকশন মোডে চলে গেলে গেট (Gate) টার্মিনাল তার নিয়ন্ত্রণ ক্ষমতা সম্পূর্ণ হারিয়ে ফেলে।
- এই অবস্থায় গেট ভোল্টেজ সরিয়ে নিলেও বা শূন্য করে দিলেও এসসিআর চালু থাকে এবং বিদ্যুৎ প্রবাহ অব্যাহত থাকে।
- একটি চালু বা 'On' অবস্থায় থাকা এসসিআরকে বন্ধ করার একমাত্র উপায় হলো এর মধ্য দিয়ে প্রবাহিত অ্যানোড কারেন্টকে কমানো।
- যখন অ্যানোড কারেন্ট একটি নির্দিষ্ট ন্যূনতম মানের নিচে নেমে আসে, যাকে হোল্ডিং কারেন্ট (Holding Current) বলা হয়, তখনই কেবল এসসিআর বন্ধ বা 'Turn Off' হয়।
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
- একটি সেমিকন্ডাক্টর ডায়োড যখন ফরওয়ার্ড বায়াস বা সম্মুখী ঝোঁক অবস্থায় থাকে, তখন এটি বিদ্যুৎ প্রবাহের জন্য খুবই কম বাধা প্রদান করে।
- সাধারণ অবস্থায় ফরওয়ার্ড বায়াসে ডায়োডের রেজিস্ট্যান্স বা রোধের মান ১০ ওহম (Ω) থেকে ১০০ ওহম (Ω) -এর মধ্যে হয়ে থাকে, অর্থাৎ এটি ওহম (Ω) স্কেলে থাকে।
- আদর্শ ডায়োডের ক্ষেত্রে ফরওয়ার্ড রেজিস্ট্যান্স শূন্য ধরা হয়, কিন্তু বাস্তবে সিলিকন বা জার্মেনিয়াম ডায়োডের একটি নির্দিষ্ট ক্ষুদ্র রোধ থাকে।
- অন্যদিকে, যখন ডায়োডটি রিভার্স বায়াস অবস্থায় থাকে, তখন এর রোধ অনেক বেশি হয়, যা সাধারণত মেগাওহম (MΩ) বা তার বেশি মাত্রার হয়।
- সুতরাং, সেমিকন্ডাক্টর ডায়োডের ফরওয়ার্ড রেজিস্ট্যান্স বা সম্মুখ রোধের সঠিক ক্রম বা অর্ডার হলো ওহম (Ω)।
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
- SCR বা সিলিকন কন্ট্রোলড রেকটিফায়ার একটি তিন টার্মিনাল বিশিষ্ট সেমিকন্ডাক্টর সুইচিং ডিভাইস।
- এই তিনটি টার্মিনালের নাম হলো অ্যানোড (Anode), ক্যাথোড (Cathode) এবং গেট (Gate)।
- অ্যানোড হলো পজিটিভ টার্মিনাল, ক্যাথোড হলো নেগেটিভ টার্মিনাল এবং গেট হলো কন্ট্রোল টার্মিনাল।
- গেট টার্মিনালের মাধ্যমে একটি ছোট পালস প্রয়োগ করে অ্যানোড থেকে ক্যাথোডের দিকে কারেন্ট প্রবাহ শুরু করা হয়।
- এটি মূলত একমুখী তড়িৎ প্রবাহে সাহায্য করে এবং পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সে সুইচ বা রেকটিফায়ার হিসেবে বহুল ব্যবহৃত হয়।
- এর কার্যপদ্ধতি থাইরোট্রন (Thyratron) টিউবের সাথে সাদৃশ্যপূর্ণ হওয়ায় একে সলিড স্টেট ইকুইভালেন্ট অফ গ্যাস ফিল্ড ট্রায়োড বলা হয়।

এখানে প্রথম ৩০টি প্রশ্নের ব্যাখ্যা দেখতে পারবেন, বাকি সব প্রশ্নের সম্পূর্ণ ব্যাখ্যা পেতে এখনই অ্যাপ ইন্সটল করুন।

Install App
i
ব্যাখ্যা (Explanation):
- পি-এন জাংশন (PN Junction) তৈরি হওয়ার সময় পি টাইপ (P-type) এবং এন টাইপ (N-type) অর্ধপরিবাহীর সংযোগস্থলে হোল (Hole) এবং ইলেকট্রন (Electron) একে অপরের সাথে মিলিত হয়।
- এই মিলন প্রক্রিয়াকে বলা হয় রিকম্বিনেশন (Recombination), যার ফলে সংযোগস্থলে একটি আধানহীন বা চার্জমুক্ত অঞ্চলের সৃষ্টি হয়।
- এই রিকম্বিনেশনের কারণে জাংশনের দুই পাশে স্থির ধনাত্মক ও ঋণাত্মক আয়ন জমা হয়, যা একটি বাধার সৃষ্টি করে।
- এই বাধাকেই বলা হয় ডিপ্লেশন লেয়ার (Depletion Layer) বা ব্যারিয়ার লেয়ার, যা মূলত ইলেকট্রন ও হোলের রিকম্বিনেশন প্রক্রিয়ার ফলেই তৈরি হয়।
- যদিও প্রশ্নে Doping সঠিক উত্তর হিসেবে দেওয়া হয়েছে, তবে প্রকৃতপক্ষে Recombination-ই ব্যারিয়ার লেয়ার সৃষ্টির প্রত্যক্ষ কারণ, কিন্তু ডোপিং ছাড়া এই আদান-প্রদান সম্ভব হতো না।
সঠিক উত্তর: 0 | ভুল উত্তর: 0